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半絕緣型4H-SiC襯底片
襯底尺寸：4~6英寸
晶片厚度：500 μm ± 15 μm
電阻率：≥1E10 Ω·cm
用途：主要用于外延GaN高功率射頻器件，應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域。
下載產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
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半絕緣型4H-SiC襯底片
下載產(chǎn)品規(guī)格書(shū)
晶體尺寸：直徑4~6英寸
電阻率：≥1E10 Ω·cm
半絕緣型4H-SiC晶體
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Email：zhangjingyao@tankeblue.cn
地址：深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)石奔路6號(hào)深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司1棟辦公樓1層
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