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氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上?一個(gè)字:難!

瀏覽: 作者: 來(lái)源: 時(shí)間:2023-02-16 分類:知識(shí)驛站

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第三代半導(dǎo)體的引入可以很好地解決現(xiàn)如今硅材料的不足,改善器件的散熱、導(dǎo)通損耗、高溫、高頻等特性,被譽(yù)為光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)新的發(fā)動(dòng)機(jī)。

其中,GaN具有廣泛的應(yīng)用性,被認(rèn)為是繼硅之后最重要的半導(dǎo)體材料之一。GaN功率器件同當(dāng)前廣泛應(yīng)用的硅基功率器件相比,具有更高的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度,更低的開態(tài)電阻,更快的開關(guān)頻率,可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率以及在高溫下工作。



 同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。

作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延膜生長(zhǎng)的襯底材料。同質(zhì)外延生長(zhǎng)從根本上可解決使用異質(zhì)襯底材料所遇到的晶格失配與熱失配問(wèn)題,將生長(zhǎng)過(guò)程中由于材料之間性質(zhì)差異所引起的應(yīng)力降到最低,能夠生長(zhǎng)出異質(zhì)襯底無(wú)法相比的高質(zhì)量GaN外延層。舉例來(lái)說(shuō),以氮化鎵為襯底可以生長(zhǎng)出高質(zhì)量的氮化鎵外延片,其內(nèi)部缺陷密度可以降到以藍(lán)寶石為襯底的外延片的千分之一,可以有效的降低LED的結(jié)溫,讓單位面積亮度提升10倍以上。

但是,目前GaN器件常用的襯底材料并不是GaN單晶,主要原因就是一個(gè)字:難!相對(duì)于常規(guī)半導(dǎo)體材料,GaN單晶的生長(zhǎng)進(jìn)展緩慢,晶體難以長(zhǎng)大且成本高昂。

GaN的首次合成是在1932年,當(dāng)時(shí)是以NH3和純金屬Ga為原料合成了氮化鎵。從那之后,雖然對(duì)氮化鎵單晶材料做了許多積極的研究,可是由于GaN在常壓下無(wú)法熔化,高溫下分解為Ga和N2,在其熔點(diǎn)(2300℃)時(shí)的分解壓高達(dá)6GPa,當(dāng)前的生長(zhǎng)裝備很難在GaN熔點(diǎn)時(shí)承受如此高的壓力,因此傳統(tǒng)熔體法無(wú)法用于GaN單晶的生長(zhǎng),所以只能選擇在其他襯底上進(jìn)行異質(zhì)外延生長(zhǎng)。當(dāng)前的GaN基器件主要基于異質(zhì)襯底(硅、碳化硅、藍(lán)寶石等)制作而成,使得GaN單晶襯底及同質(zhì)外延器件的發(fā)展落后于基于異質(zhì)外延器件的應(yīng)用。

 

幾種襯底材料

藍(lán)寶石

藍(lán)寶石(α-Al2O3)又稱剛玉,是商業(yè)應(yīng)用最為廣泛的LED襯底材料,占據(jù)著LED襯底市場(chǎng)的絕大份額。在早期使用中藍(lán)寶石襯底就體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),所生長(zhǎng)的GaN薄膜與SiC襯底上生長(zhǎng)的薄膜位錯(cuò)密度相當(dāng),且藍(lán)寶石使用熔體法技術(shù)生長(zhǎng),工藝更成熟,可獲得較低成本、較大尺寸、高質(zhì)量的單晶,適合產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,因此是LED行業(yè)應(yīng)用最早也是最為廣泛的襯底材料。

幾種LED襯底的主要特性對(duì)比

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碳化硅

碳化硅屬于IV-IV族半導(dǎo)體材料,是目前市場(chǎng)占有率僅次于藍(lán)寶石的LED襯底材料。SiC具有多種晶型,可分為三大類:立方型(如3C-SiC)、六角型(如4H-SiC)和菱形(如15R-SiC),絕大部分晶體為3C,4H和6H三種晶型,其中4H,6H-SiC主要用作GaN襯底。

碳化硅非常適合作為L(zhǎng)ED襯底材料。然而,由于生長(zhǎng)高質(zhì)量、大尺寸SiC單晶難度較大,且SiC為層狀結(jié)構(gòu)易于解理,加工性能較差,容易在襯底表面引入臺(tái)階狀缺陷,影響外延層質(zhì)量。同尺寸的SiC襯底價(jià)格為藍(lán)寶石襯底的幾十倍,高昂的價(jià)格限制了其大規(guī)模應(yīng)用。

單晶硅

硅材料是目前應(yīng)用最廣泛、制備技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料。由于單晶硅材料生長(zhǎng)技術(shù)成熟度高,容易獲得低成本、大尺寸(6-12英寸)、高質(zhì)量的襯底,可以大大降低LED的造價(jià)。并且,由于硅單晶已經(jīng)大規(guī)模應(yīng)用于微電子領(lǐng)域,使用單晶硅襯底可以實(shí)現(xiàn)LED芯片與集成電路的直接集成,有利于LED器件的小型化發(fā)展。此外,與目前應(yīng)用最廣泛的LED襯底-藍(lán)寶石相比,單晶硅在性能上還有一些優(yōu)勢(shì):熱導(dǎo)率高、導(dǎo)電性好,可制備垂直結(jié)構(gòu),更適合大功率LED制備。

 

小結(jié)

近年來(lái)市場(chǎng)對(duì)GaN器件性能提出了越來(lái)越高的要求,特別是對(duì)高電流密度器件(如激光器)和高功率、耐高壓電子器件,例如,長(zhǎng)壽命高功率激光器的位錯(cuò)密度不能超過(guò)105cm-2量級(jí)。由于異質(zhì)外延的眾所周知的缺點(diǎn),例如晶格失配,熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的高位錯(cuò)密度、鑲嵌晶體結(jié)構(gòu)、雙軸應(yīng)力及晶圓翹曲,使得器件的性能受到襯底結(jié)構(gòu)質(zhì)量的顯著限制。顯而易見,解決這個(gè)問(wèn)題的理想方案仍然是寄希望于氮化鎵單晶的制備技術(shù)的突破。

參考來(lái)源:

[1]陳偉超等.GaN基發(fā)光二極管襯底材料的研究進(jìn)展

[2]曹峻松等.3代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀和展望

[3]任國(guó)強(qiáng)等.氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

來(lái)源:粉體網(wǎng)

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